SUD45P03-09-GE3、SUD45P03-10-E3对比区别

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型号 SUD45P03-09-GE3 SUD45P03-10-E3

描述 P-沟道 30 V 0.0033 Ohm 41.7 W 表面贴装 功率 MosFet - TO-252-3P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252

通道数 1 -

漏源极电阻 0.0072 Ω 0.01 Ω

极性 P-Channel P-Channel

耗散功率 41.7 W 70 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

针脚数 - 3

漏源极电压(Vds) - -30.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 25.0 A, -15.0 A

输入电容(Ciss) - 6000pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 4 W

长度 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.38 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15

REACH SVHC标准 - No SVHC