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SUD45P03-09-GE3

SUD45P03-09-GE3

数据手册.pdf

P-沟道 30 V 0.0033 Ohm 41.7 W 表面贴装 功率 MosFet - TO-252-3

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


贸泽:
MOSFET 30V 45A PCH


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 45A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
Single P-Channel 30 V 8.7 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TO-252


Newark:
# VISHAY  SUD45P03-09-GE3  MOSFET, P-CH, -30V, -45A, TO-252AA New


SUD45P03-09-GE3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.0072 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 41.7 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

SUD45P03-09-GE3引脚图与封装图
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在线购买SUD45P03-09-GE3
型号 制造商 描述 购买
SUD45P03-09-GE3 Vishay Semiconductor 威世 P-沟道 30 V 0.0033 Ohm 41.7 W 表面贴装 功率 MosFet - TO-252-3 搜索库存
替代型号SUD45P03-09-GE3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SUD45P03-09-GE3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: TO-252-3 P-Channel

当前型号

P-沟道 30 V 0.0033 Ohm 41.7 W 表面贴装 功率 MosFet - TO-252-3

当前型号

型号: SUD45P03-10-E3

品牌: 威世

封装: TO-252 P-Channel 30V 25A 10mΩ

功能相似

P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

SUD45P03-09-GE3和SUD45P03-10-E3的区别