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MMBT4124、MMBT4124-7-F、MMBT4124LT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT4124 MMBT4124-7-F MMBT4124LT1G

描述 NPN 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。Trans GP BJT NPN 25V 0.2A 350mW Automotive 3Pin SOT-23 T/RON SEMICONDUCTOR  MMBT4124LT1G  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 300 MHz, 225 mW, 200 mA, 60 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 300 MHz 300 MHz 300 MHz

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V 20.0 V

额定电流 200 mA 200 mA 200 mA

极性 N-Channel, NPN NPN NPN

耗散功率 350 mW 0.35 W 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V 25 V

最小电流放大倍数(hFE) 120 @2mA, 1V 120 @2mA, 1V 120 @2mA, 1V

额定功率(Max) 350 mW 300 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 360 - 60

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 300 mW 300000 mW

集电极最大允许电流 - 0.2A 0.2A

最大电流放大倍数(hFE) - 360 -

针脚数 - - 3

长度 2.92 mm - -

宽度 1.3 mm 1.4 mm 1.3 mm

高度 0.93 mm - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99