FDB33N25TM、STB50NF25、STB22NS25ZT4对比区别

高亮显示差异参数

型号 FDB33N25TM STB50NF25 STB22NS25ZT4

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB33N25TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 250 V, 0.077 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STB50NF25  晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 250 V, 55 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STB22NS25ZT4 MOSFET Transistor, N Channel, 11A, 250V, 130mohm, 10V, 3V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) - - 250 V

额定电流 - - 22.0 A

漏源极电阻 0.077 Ω 55 mΩ 0.13 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 235 W 160 W 135 W

阈值电压 3 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

漏源击穿电压 250 V 250 V 250 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 33A 22.0 A 11.0 A

上升时间 230 ns 26 ns 30 ns

输入电容(Ciss) 2135pF @25V(Vds) 2670pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds)

下降时间 120 ns 20 ns 78 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 235W (Tc) 160W (Tc) 135W (Tc)

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

额定功率(Max) 235 W 160 W -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.67 mm 10.4 mm -

宽度 11.33 mm 9.35 mm -

高度 4.83 mm 4.6 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -