STB22NS25ZT4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 250 V
额定电流 22.0 A
漏源极电阻 0.13 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 135 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 2400pF @25VVds
下降时间 78 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 135W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
STB22NS25ZT4引脚图与封装图
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在线购买STB22NS25ZT4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STB22NS25ZT4 | ST Microelectronics 意法半导体 | STMICROELECTRONICS STB22NS25ZT4 MOSFET Transistor, N Channel, 11A, 250V, 130mohm, 10V, 3V | 搜索库存 |
替代型号STB22NS25ZT4
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STB22NS25ZT4 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： D2PAK-2 N-Channel 250V 11A 150mohms | 当前型号 | STMICROELECTRONICS STB22NS25ZT4 MOSFET Transistor, N Channel, 11A, 250V, 130mohm, 10V, 3V | 当前型号 |
| 型号： STP55NF06 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ | 功能相似 | MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | STB22NS25ZT4和STP55NF06的区别 |
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