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KSC1008OBU、KSC1008OTA对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSC1008OBU KSC1008OTA

描述 小信号 NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。NPN Epitacial硅晶体管 NPN Epitacial Silicon Transistor

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 -

封装 TO-226-3 TO-226-3

额定电压(DC) - 60.0 V

额定电流 - 700 mA

极性 - NPN

耗散功率 0.8 W 800 mW

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V

集电极最大允许电流 - 0.7A

最小电流放大倍数(hFE) 40 70 @50mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) - 400

额定功率(Max) 800 mW 800 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 800 mW -

频率 50 MHz -

长度 4.58 mm 5.2 mm

宽度 3.86 mm 4.19 mm

高度 4.58 mm 5.33 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Bag Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99