额定电压DC 60.0 V
额定电流 700 mA
极性 NPN
耗散功率 800 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.7A
最小电流放大倍数hFE 70 @50mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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KSC1008OTA | Fairchild 飞兆/仙童 | NPN Epitacial硅晶体管 NPN Epitacial Silicon Transistor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: KSC1008OTA 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 60V 700mA | 当前型号 | NPN Epitacial硅晶体管 NPN Epitacial Silicon Transistor | 当前型号 | |
型号: KSC1008OBU 品牌: 安森美 封装: TO-92 | 功能相似 | 小信号 NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | KSC1008OTA和KSC1008OBU的区别 |