锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

EMG2DXV5T1、EMG2DXV5T5、EMG2DXV5T5G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 EMG2DXV5T1 EMG2DXV5T5 EMG2DXV5T5G

描述 双偏置电阻晶体管NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Dual Bias Resistor Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network双偏置电阻晶体管NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Dual Bias Resistor Transistors NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor NetworkON Semiconductor### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 5

封装 SOT-553 SOT-553 SOT-553-5

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

无卤素状态 - - Halogen Free

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - - 230 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - - 80

额定功率(Max) 230 mW 230 mW 230 mW

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 338 mW

长度 - - 1.7 mm

宽度 - - 1.3 mm

高度 - - 0.6 mm

封装 SOT-553 SOT-553 SOT-553-5

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - - EAR99