BSL211SP、BSL211SPL6327HTSA1、DMP2066LDM-7对比区别

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型号 BSL211SP BSL211SPL6327HTSA1 DMP2066LDM-7

描述 Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能TSOP P-CH 20V 4.7ADIODES INC.  DMP2066LDM-7  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.6 A, -20 V, 0.029 ohm, -4.5 V, 960 mV 新

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOP-6-6 TSOT-23-6 SOT-23-6

极性 P-CH P-CH P-Channel

耗散功率 2 W 2W (Ta) 1.25 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 4.70 A 4.7A 4.6A

上升时间 13.9 ns 13.9 ns 9.9 ns

输入电容(Ciss) 654pF @15V(Vds) 654pF @15V(Vds) 820pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 1.25 W

下降时间 23.3 ns 23.3 ns 23.4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2W (Ta) 2W (Ta) 1250 mW

额定电压(DC) -20.0 V - -

额定电流 -4.70 A - -

通道数 1 - -

漏源极电阻 67 mΩ - 0.029 Ω

漏源击穿电压 20 V - -

针脚数 - - 6

阈值电压 - - 960 mV

封装 TSOP-6-6 TSOT-23-6 SOT-23-6

长度 3 mm - -

宽度 1.5 mm - -

高度 1 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

香港进出口证 NLR - -