BSL211SP
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage | ±12V 最大漏极电流IdDrain Current | -4.7A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 94mΩ~114mΩ@ VGS=-2.5V, ID=-3.7A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | -0.6v~-1.2v 耗散功率PdPower Dissipation | Description & Applications- .
- OptiMOS -P Small-Signal-Transistor. * P-Channel. * Enhancement mode. * Super Logic Level 2.5 V rated. * 150°C operating temperature. * Avalanche rated. * dv/dt rated. 描述与应用 | * OptiMOS-P小信号 。 * P-通道。 * 增强模式。 * 超级逻辑电平（2.5 V额定）。 * 150°C的工作温度。 * 额定雪崩。 * dv / dt的评级。