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ILD213T、MOCD213R2VM、MOCD213R1VM对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ILD213T MOCD213R2VM MOCD213R1VM

描述 PHOTOTRANSISTOR, TCST2300MOCD213M: 8 引脚 SOIC 双沟道光电晶体管输出光耦合器晶体管输出光电耦合器 2Ch Optocoupler Phototransistor

数据手册 ---

制造商 Vishay Dale (威世达勒) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 光耦合器/光隔离器

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 - SOIC-8 SOIC-8

上升/下降时间 - 1.6µs, 2.2µs 1.6µs, 2.2µs

输入电压(DC) - - 1.25 V

输出电压 - 70 V ≤70.0 V

电路数 - - 2

通道数 - 2 2

正向电压 - 1.25 V 1.25 V

耗散功率 - - 250 mW

上升时间 - 1.6 µs 1.60 µs

隔离电压 - 2500 Vrms 2500 Vrms

正向电流 - 60 mA 60 mA

输出电压(Max) - 70 V 70 V

工作温度(Max) - 100 ℃ 100 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

正向电压(Max) - 1.55 V -

正向电流(Max) - 60 mA -

下降时间 - 2.2 µs -

耗散功率(Max) - 250 mW -

长度 - - 5.13 mm

宽度 - - 4.16 mm

高度 - - 3.43 mm

封装 - SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - -40℃ ~ 100℃ -40℃ ~ 100℃

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99