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LMC6482AIN/NOPB、TS912IN、LMC6482IN/NOPB对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMC6482AIN/NOPB TS912IN LMC6482IN/NOPB

描述 CMOS 运算放大器,LMC/LPC 系列### 运算放大器,Texas InstrumentsSTMICROELECTRONICS  TS912IN  运算放大器, 双路, 800 kHz, 2个放大器, 0.4 V/µs, 2.7V 至 16V, DIP, 8 引脚CMOS 运算放大器,LMC/LPC 系列### 运算放大器,Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 DIP-8 DIP-8

电源电压(DC) 16.0 V 3.00 V 16.0 V

工作电压 - 2.7V ~ 16V 3V ~ 15.5V

输出电流 ≤30 mA - ≤30 mA

供电电流 1.3 mA 400 µA 1.3 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

共模抑制比 70 dB 60 dB 65 dB

输入补偿漂移 1.00 µV/K - 1.00 µV/K

带宽 1.5 MHz 800 kHz 1.5 MHz

转换速率 1.30 V/μs 400 mV/μs 1.30 V/μs

增益频宽积 1.5 MHz 1.4 MHz 1.5 MHz

输入补偿电压 110 µV 10 mV 110 µV

输入偏置电流 0.02 pA 1 pA .02 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 1.5 MHz - 1.5 MHz

共模抑制比(Min) 70 dB - 65 dB

电源电压 3V ~ 15.5V 2.7V ~ 16V 3V ~ 15.5V

电源电压(Max) - 16 V 15.5 V

电源电压(Min) - 2.7 V 3 V

长度 9.27 mm - 9.27 mm

宽度 6.35 mm 6.35 mm 6.35 mm

高度 3.3 mm - 3.3 mm

封装 DIP-8 DIP-8 DIP-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15