FDS8958A_F085
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS8958A_F085中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.019 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 1.9 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 7A/5A
输入电容Ciss 575pF @15VVds
额定功率Max 900 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.575 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
FDS8958A_F085引脚图与封装图
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在线购买FDS8958A_F085
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS8958A_F085 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8958A_F085 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V | 搜索库存 |
替代型号FDS8958A_F085
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS8958A_F085 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 7A/5A | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8958A_F085 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V | 当前型号 |
| 型号： FDS8958A 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 30V 7A 28mohms 528pF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8958A 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V | FDS8958A_F085和FDS8958A的区别 |
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