FM25640B-G、FM25CL64B-G、FM24CL64B-G对比区别

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型号 FM25640B-G FM25CL64B-G FM24CL64B-G

描述 CYPRESS SEMICONDUCTOR  FM25640B-G  芯片, 存储器, FRAM, 64K, SPI, 8SOICCYPRESS SEMICONDUCTOR  FM25CL64B-G  存储芯片, FRAM, 64K, SPI, 8SOICF-RAM, Ramtron非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - 2.70V (min) -

供电电流 4 mA 3 mA 0.3 mA

针脚数 8 8 -

时钟频率 20 MHz 20 MHz 1 MHz

耗散功率 - 1 W 1 W

内存容量 8000 B 8000 B -

存取时间(Max) 20 ns 20 ns 550 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 2.7V ~ 3.65V 2.7V ~ 3.65V

电源电压(Max) 5.5 V 3.65 V -

电源电压(Min) 4.5 V 2.7 V -

存取时间 10 ms - 550 ns

频率 20 MHz - -

长度 4.9 mm 4.98 mm 4.9 mm

宽度 3.9 mm 3.987 mm 3.9 mm

高度 1.5 mm 1.478 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99