FDD10AN06A0、IRFR2407PBF、PHD3055E,118对比区别

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型号 FDD10AN06A0 IRFR2407PBF PHD3055E,118

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD10AN06A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0094 ohm, 10 V, 4 VINTERNATIONAL RECTIFIER  IRFR2407PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 75V, 42A, D-PAKS 新Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 4

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 60.0 V 75.0 V -

额定电流 50.0 A 42.0 A -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0094 Ω 26 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 135 W 110 W 33 W

阈值电压 4 V 4 V -

输入电容 1.84 nF 2400pF @25V -

栅电荷 28.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 60 V 75 V 60 V

漏源击穿电压 -60.0 V 75 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 50.0 A 42.0 A 10.3 A

上升时间 79 ns 90.0 ns 26 ns

输入电容(Ciss) 1840pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 250pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 135 W 110 W -

下降时间 32 ns - 10 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 135 W - 33W (Tc)

产品系列 - IRFR2407 -

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.39 mm 2.39 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Rail, Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -