PHD3055E,118

NXP(恩智浦) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 3Pin2+Tab DPAK T/R

N-Channel 60V 10.3A Tc 33W Tc Surface Mount DPAK

得捷:
MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK

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Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

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MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK

PHD3055E,118中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 33 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 10.3 A

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 250pF @25VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 33W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PHD3055E,118引脚图与封装图

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PHD3055E,118	NXP 恩智浦	Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 3Pin2+Tab DPAK T/R	搜索库存

替代型号PHD3055E,118

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： PHD3055E,118 品牌： NXP 恩智浦封装： DPAK N-Channel 60V 10.3A	当前型号	Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 3Pin2+Tab DPAK T/R	当前型号
型号： PHD3055E 品牌：恩智浦封装：	类似代替	PHD3055E N沟道MOSFET 60V 10.3A TO-252/D-PAK marking/标记 PHD3055E 雪崩能量/桥电路中使用	PHD3055E,118和PHD3055E的区别
型号： FDD10AN06A0 品牌：飞兆/仙童封装： TO-252 N-Channel 60V 50A 9.4mohms 1.84nF	功能相似	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD10AN06A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0094 ohm, 10 V, 4 V	PHD3055E,118和FDD10AN06A0的区别
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