STL60N3LLH5、STL60NH3LL、BSC057N03LSGATMA1对比区别

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型号 STL60N3LLH5 STL60NH3LL BSC057N03LSGATMA1

描述 N 通道 STripFET™ V，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道30V - 0.0065Ohm - 30A - PowerFLAT TM （引脚6x5 ）超低栅极电荷STripFET⑩功率MOSFET N-channel 30V - 0.0065Ohm - 30A - PowerFLAT TM (6x5) Ultra low gate charge STripFET⑩ Power MOSFETInfineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC057N03LSGATMA1, 71 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 PowerFLAT-5x6-8 PowerFLAT-5x6-8 PG-TDSON-8

通道数 1 1 -

漏源极电阻 0.0063 Ω 8.5 mΩ 0.0048 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 60 W 60 W 45 W

阈值电压 1 V - 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 60A 30.0 A 17A

上升时间 11.2 ns 65 ns 3.6 ns

输入电容(Ciss) 1290pF @25V(Vds) 1810pF @25V(Vds) 1800pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 60 W 4 W -

下降时间 6 ns 20 ns 3.2 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 60W (Tc) 60W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc)

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 30.0 A -

输入电容 - 1.81 nF 1800 pF

漏源击穿电压 - 30 V -

额定功率 - - 45 W

针脚数 - - 8

长度 5 mm 5 mm 5.49 mm

宽度 6 mm 6 mm 5.49 mm

高度 0.81 mm 0.81 mm 1.1 mm

封装 PowerFLAT-5x6-8 PowerFLAT-5x6-8 PG-TDSON-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

REACH SVHC标准 - - No SVHC