STL60NH3LL中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 30.0 A
通道数 1
漏源极电阻 8.5 mΩ
耗散功率 60 W
输入电容 1.81 nF
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 65 ns
输入电容Ciss 1810pF @25VVds
额定功率Max 4 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 60W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PowerFLAT-5x6-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 6 mm
高度 0.81 mm
封装 PowerFLAT-5x6-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STL60NH3LL引脚图与封装图
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在线购买STL60NH3LL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STL60NH3LL | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道30V - 0.0065Ohm - 30A - PowerFLAT TM （引脚6x5 ）超低栅极电荷STripFET⑩功率MOSFET N-channel 30V - 0.0065Ohm - 30A - PowerFLAT TM 6x5 Ultra low gate charge STripFET⑩ Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STL60NH3LL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STL60NH3LL 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： PowerFlat-8 30V 30A 1.81nF | 当前型号 | N沟道30V - 0.0065Ohm - 30A - PowerFLAT TM （引脚6x5 ）超低栅极电荷STripFET⑩功率MOSFET N-channel 30V - 0.0065Ohm - 30A - PowerFLAT TM 6x5 Ultra low gate charge STripFET⑩ Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STL140N4LLF5 品牌： 意法半导体 封装： Power N-Channel 40V 140A | 类似代替 | N 通道 STripFET™ V，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | STL60NH3LL和STL140N4LLF5的区别 |
| 型号： STL60N3LLH5 品牌： 意法半导体 封装： PowerFLAT N-Channel 30V 60A | 类似代替 | N 通道 STripFET™ V，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | STL60NH3LL和STL60N3LLH5的区别 |