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TZMB11-GS08、BZV55-B11,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TZMB11-GS08 BZV55-B11,115

描述 齐纳二极管 500mW,TZM 系列,Vishay SemiconductorVishay 的表面安装 (SMT) 齐纳二极管额定值为 500mW,击穿电压范围从 3.3 至 75V### 齐纳二极管,Vishay SemiconductorMini-MELF 11V 0.5W(1/2W)

数据手册 --

制造商 VISHAY (威世) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2

封装 Mini-MELF Mini-MELF

容差 - ±2 %

正向电压 1.5 V 900mV @10mA

耗散功率 500 mW 0.5 W

测试电流 5 mA 5 mA

稳压值 11 V 11 V

正向电压(Max) - 900mV @10mA

额定功率(Max) - 500 mW

工作温度(Max) 175 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

稳压电流 100 nA -

耗散功率(Max) 500 mW -

封装 Mini-MELF Mini-MELF

长度 3.7 mm -

宽度 1.6 mm -

高度 1.6 mm -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 200℃

温度系数 - 7.4 mV/K

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 2500 -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free