BZV55-B11,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BZV55-B11,115中文资料参数规格
技术参数
容差 ±2 %
正向电压 900mV @10mA
耗散功率 0.5 W
测试电流 5 mA
稳压值 11 V
正向电压Max 900mV @10mA
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 Mini-MELF
外形尺寸
封装 Mini-MELF
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃
温度系数 7.4 mV/K
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZV55-B11,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BZV55-B11,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZV55-B11,115 | NXP 恩智浦 | Mini-MELF 11V 0.5W1/2W | 搜索库存 |
替代型号BZV55-B11,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZV55-B11,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： DO-213AC | 当前型号 | Mini-MELF 11V 0.5W1/2W | 当前型号 |
| 型号： TZMB11-GS08 品牌： 威世 封装： SOD-80 | 功能相似 | 齐纳二极管 500mW，TZM 系列，Vishay SemiconductorVishay 的表面安装 SMT 齐纳二极管额定值为 500mW，击穿电压范围从 3.3 至 75V### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor | BZV55-B11,115和TZMB11-GS08的区别 |
| 型号： BZV55-B11,135 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | 稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT | BZV55-B11,115和BZV55-B11,135的区别 |