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THS4271D、THS4275D、THS4211D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 THS4271D THS4275D THS4211D

描述 Texas Instruments低噪声,高转换速率,单位增益稳定的电压放大器客户反馈 LOW NOISE, HIGH SLEW RATE, UNITY GAIN STABLE VOLTAGE FREEBACK AMPLIFIERTexas Instruments

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 5.00 V 15.0 V 15.0 V

输出电流 120mA @5V 120mA @5V 230mA @5V

供电电流 22 mA 22 mA 19 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

针脚数 8 - 8

耗散功率 1.02 W 1.02 W 1020 mW

共模抑制比 67 dB 67 dB 50 dB

输入补偿漂移 10.0 µV/K 10.0 µV/K 40.0 µV/K

带宽 1.4 GHz 400 MHz 1 GHz

转换速率 1.00 kV/μs 1.00 kV/μs 970 V/μs

增益频宽积 350 MHz 350 MHz 300 MHz

输入补偿电压 5 mV 5 mV 3 mV

输入偏置电流 6 µA 6 µA 7 µA

可用通道 S S S

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

3dB带宽 1.4 GHz 1.4 GHz 325 MHz

增益带宽 400 MHz 400 MHz 350 MHz

耗散功率(Max) 1020 mW 1020 mW 1020 mW

共模抑制比(Min) 67 dB 67 dB 50 dB

电源电压(Max) - - 7.5 V

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

高度 1.58 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

香港进出口证 - - NLR

ECCN代码 EAR99 - -