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STB150NF55T4、BUK662R7-55C,118、IRLZ44ZSPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STB150NF55T4 BUK662R7-55C,118 IRLZ44ZSPBF

描述 STMICROELECTRONICS  STB150NF55T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 4 VD2PAK N-CH 55V 120AN沟道 55V 51A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 55.0 V - 55.0 V

额定电流 120 A - 51.0 A

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 5 mΩ - -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 306W (Tc) 80 W

阈值电压 4 V - -

输入电容 4400 pF - -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 55 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 60.0 A 120A 51.0 A

上升时间 180 ns - 160 ns

输入电容(Ciss) 4400pF @25V(Vds) 15300pF @25V(Vds) 1620pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 306 W 80 W

下降时间 80 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

耗散功率(Max) 300W (Tc) 306W (Tc) -

产品系列 - - IRLZ44ZS

长度 10.4 mm - -

宽度 9.35 mm - -

高度 4.6 mm - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 - -