BUK662R7-55C,118
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NXP
恩智浦
分立器件
BUK662R7-55C,118中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 306W Tc
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 120A
输入电容Ciss 15300pF @25VVds
额定功率Max 306 W
耗散功率Max 306W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BUK662R7-55C,118引脚图与封装图
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在线购买BUK662R7-55C,118
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BUK662R7-55C,118 | NXP 恩智浦 | D2PAK N-CH 55V 120A | 搜索库存 |
替代型号BUK662R7-55C,118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BUK662R7-55C,118 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT404 N-Channel 55V 120A | 当前型号 | D2PAK N-CH 55V 120A | 当前型号 |
| 型号： STB150NF55T4 品牌： 意法半导体 封装： TO-252-3 N-Channel 55V 60A 6mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB150NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 4 V | BUK662R7-55C,118和STB150NF55T4的区别 |