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TLC272IDG4、TS272BIDT、TS272CDT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC272IDG4 TS272BIDT TS272CDT

描述 路LinCMOS精密双运算放大器 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERSTS272,TS274,微型电源,各种输入偏置电压运算放大器TS272(双路)和 TS274(四路)CMOS 运算放大器提供极佳的速度消耗比率。输出电压可摆幅至接地 增益带宽产品:3.5 MHz 极佳的电容性负载相位裕度 ### 运算放大器,STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  TS272CDT  运算放大器, 双路, 3.5 MHz, 2个放大器, 5.5 V/µs, 3V 至 16V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤30 mA 60 mA 45 mA

供电电流 1.4 mA 1 mA 1 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - 8 8

共模抑制比 65 dB 80 dB 65 dB

带宽 1.70 MHz 3.5 MHz 3.5 MHz

转换速率 3.60 V/μs 40.0 mV/μs 5.50 V/μs

增益频宽积 1.7 MHz 3.5 MHz 3.5 MHz

输入补偿电压 1.1 mV 250 µV 1.1 mV

输入偏置电流 0.7 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 2.2 MHz 3.5 MHz 3.5 MHz

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

电源电压 - 3V ~ 16V 3V ~ 16V

电源电压(Max) 16 V 16 V 16 V

电源电压(Min) 4 V 3 V 3 V

耗散功率 0.725 W - -

输入补偿漂移 1.80 µV/K - -

耗散功率(Max) 725 mW - -

长度 4.9 mm 5 mm -

宽度 3.91 mm 4 mm 4 mm

高度 1.58 mm 1.65 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99