SI4102DY-T1-GE3、SI4486EY-T1-E3、SI4484EY-T1-GE3对比区别

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型号 SI4102DY-T1-GE3 SI4486EY-T1-E3 SI4484EY-T1-GE3

描述 VISHAY  SI4102DY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 100 V, 130 mohm, 10 V, 2 VVISHAY  SI4486EY-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 100 V, 0.021 ohm, 10 V, 2 VTrans MOSFET N-CH 100V 4.8A 8Pin SOIC N T/R

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.13 Ω 0.021 Ω 0.028 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 4.8 W 1.8 W 3.8 W

阈值电压 2 V 2 V 2 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 - 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 7.90 A -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

上升时间 10 ns - -

输入电容(Ciss) 370pF @50V(Vds) - -

下降时间 10 ns - -

耗散功率(Max) 2.4 W - -

长度 5 mm 5 mm -

高度 1.55 mm 1.55 mm -

封装 SOIC SOIC-8 SOIC

宽度 4 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC