FDN361BN、IRLML0030TRPBF、IRLML2030TRPBF对比区别

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型号 FDN361BN IRLML0030TRPBF IRLML2030TRPBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN361BN  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 0.092 ohm, 10 V, 2.1 VINFINEON  IRLML0030TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1.7 VINFINEON  IRLML2030TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定功率 - 1.3 W 1.3 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.092 Ω 0.022 Ω 0.08 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 500 mW 1.3 W 1.3 W

阈值电压 2.1 V 1.7 V 1.7 V

输入电容 - 382 pF 110 pF

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 1.40 A 5.3A 2.7A

上升时间 8 ns 4.4 ns 3.3 ns

输入电容(Ciss) 193pF @15V(Vds) 382pF @15V(Vds) 110pF @15V(Vds)

下降时间 2 ns 4.4 ns 2.9 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500mW (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)

漏源击穿电压 30.0 V - -

额定功率(Max) 460 mW - 1.3 W

长度 1.4 mm 3.04 mm 3.04 mm

宽度 2.92 mm 1.4 mm 1.4 mm

高度 0.94 mm 1.02 mm 1.02 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - -