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BZD27C12P-E3-08、BZD27C12P-E3-18对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZD27C12P-E3-08 BZD27C12P-E3-18

描述 VISHAY BZD27C12P-E3-08 Zener Single Diode, 12V, 800mW, DO-219AB, 2Pins, 150℃Diode Zener Single 12V 5% 800mW 2Pin SMF T/R

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 DO-219AB DO-219AB

引脚数 2 -

击穿电压 12.0 V 12.0 V

正向电压 1.2V @200mA 1.2V @200mA

稳压值 12 V 12 V

额定功率(Max) 800 mW 800 mW

耗散功率 800 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ -

封装 DO-219AB DO-219AB

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free