BZD27C12P-E3-08中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 12.0 V
正向电压 1.2V @200mA
耗散功率 800 mW
稳压值 12 V
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-219AB
外形尺寸
封装 DO-219AB
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZD27C12P-E3-08引脚图与封装图
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在线购买BZD27C12P-E3-08
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZD27C12P-E3-08 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY BZD27C12P-E3-08 Zener Single Diode, 12V, 800mW, DO-219AB, 2Pins, 150℃ | 搜索库存 |
替代型号BZD27C12P-E3-08
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： BZD27C12P-E3-08 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 12V | 当前型号 | VISHAY BZD27C12P-E3-08 Zener Single Diode, 12V, 800mW, DO-219AB, 2Pins, 150℃ | 当前型号 |
| 型号： BZD27C12P-E3-18 品牌： 威世 封装： DO-219 12V | 完全替代 | Diode Zener Single 12V 5% 800mW 2Pin SMF T/R | BZD27C12P-E3-08和BZD27C12P-E3-18的区别 |