BCR158L3、PDTA123JM、PDTA123JM,315对比区别

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型号 BCR158L3 PDTA123JM PDTA123JM,315

描述 PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital TransistorPNP电阻配备晶体管; R1 = 2.2千欧，R2 = 47千欧 PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TSLP DFN SOT-883-3

耗散功率 - - 0.25 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) - - 100 @10mA, 5V

额定功率(Max) - - 250 mW

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 250 mW

极性 PNP PNP -

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

长度 - - 1.02 mm

宽度 - - 0.62 mm

高度 - - 0.47 mm

封装 TSLP DFN SOT-883-3

工作温度 - - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free 无铅

ECCN代码 - - EAR99