PDTA123JM
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NXP
恩智浦
分立器件
PDTA123JM中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DFN
外形尺寸
封装 DFN
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PDTA123JM引脚图与封装图
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在线购买PDTA123JM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTA123JM | NXP 恩智浦 | PNP电阻配备晶体管; R1 = 2.2千欧，R2 = 47千欧 PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ | 搜索库存 |
替代型号PDTA123JM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PDTA123JM 品牌： NXP 恩智浦 封装： DFN PNP | 当前型号 | PNP电阻配备晶体管; R1 = 2.2千欧，R2 = 47千欧 PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 47 kΩ | 当前型号 |
| 型号： PDTA123JM,315 品牌： 恩智浦 封装： SOT883 PNP 250mW | 类似代替 | DFN PNP 50V 100mA | PDTA123JM和PDTA123JM,315的区别 |
| 型号： BCR158L3 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital Transistor | PDTA123JM和BCR158L3的区别 |
