SI2315BDS-T1-E3、SI2333DDS-T1-GE3、PMV65XP,215对比区别

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型号 SI2315BDS-T1-E3 SI2333DDS-T1-GE3 PMV65XP,215

描述 VISHAY  SI2315BDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -12 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -900 mVVISHAY  SI2333DDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -12 V, 0.023 ohm, -4.5 V, 400 mVNXP  PMV65XP,215  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -750 mV

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

额定功率 750 mW - -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.04 Ω 0.023 Ω 0.058 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 750 mW 1.7 W 833 mW

输入电容 715pF @6V - -

漏源极电压(Vds) -12.0 V - 20 V

栅源击穿电压 ±8.00 V - -

连续漏极电流(Ids) -3.00 A - -3.90 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

通道数 - - 1

上升时间 - - 18 ns

输入电容(Ciss) - - 744pF @20V(Vds)

额定功率(Max) - - 1.92 W

下降时间 - - 68 ns

耗散功率(Max) - 1.7 W 480mW (Ta)

阈值电压 - 400 mV -

长度 3.04 mm 3.04 mm 3 mm

高度 1.02 mm 1.02 mm 1 mm

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

宽度 - 1.4 mm 1.4 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

产品生命周期 - - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

香港进出口证 - - NLR

ECCN代码 - EAR99 -