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SI2315BDS-T1-E3

SI2315BDS-T1-E3

数据手册.pdf

VISHAY  SI2315BDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -12 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -900 mV

The is a P-channel TrenchFET® Power MOSFET with power dissipation at 750mW.

.
±8V Gate-source voltage
.
Halogen-free

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
单 P 沟道 12 V 0.05 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-236


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -3A; 750mW; SOT23


Verical:
Trans MOSFET P-CH 12V 3A 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# VISHAY  SI2315BDS-T1-E3  MOSFET Transistor, P Channel, -3 A, -12 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -900 mV


力源芯城:
-12V,-3A,P沟道功率MOSFET


SI2315BDS-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

额定功率 750 mW

针脚数 3

漏源极电阻 0.04 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 750 mW

输入电容 715pF @6V

漏源极电压Vds -12.0 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids -3.00 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 3.04 mm

高度 1.02 mm

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

SI2315BDS-T1-E3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI2315BDS-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SI2315BDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -12 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -900 mV 搜索库存
替代型号SI2315BDS-T1-E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SI2315BDS-T1-E3

品牌： Vishay Semiconductor 威世

封装： TO-236 P-Channel -12V -3A 100mohms

当前型号

VISHAY  SI2315BDS-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -12 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -900 mV

当前型号

型号： SI2315BDS-T1-GE3

品牌： 威世

封装： SOT-23 P-Channel 12V 3A

完全替代

VISHAY  SI2315BDS-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -3A, -12V, 750mW

SI2315BDS-T1-E3和SI2315BDS-T1-GE3的区别

型号： PMV65XP,215

品牌： 恩智浦

封装： TO-236AB P-Channel 20V 3.9A

功能相似

NXP  PMV65XP,215  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -750 mV

SI2315BDS-T1-E3和PMV65XP,215的区别

型号： SI2333DDS-T1-GE3

品牌： 威世

封装： SOT-23 P-Channel

功能相似

VISHAY  SI2333DDS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -12 V, 0.023 ohm, -4.5 V, 400 mV

SI2315BDS-T1-E3和SI2333DDS-T1-GE3的区别