IRFR2405TRLPBF、STD60NF06T4、STD35NF06LT4对比区别

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型号 IRFR2405TRLPBF STD60NF06T4 STD35NF06LT4

描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 0.0118Ω; ID 56A; D-Pak (TO-252AA); PD 110WN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  STD35NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 55.0 V - 60.0 V

额定电流 56.0 A - 35.0 A

通道数 1 - -

漏源极电阻 0.016 Ω 0.014 Ω 0.014 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 110 W 80 W

产品系列 IRFR2405 - -

输入电容 2430pF @25V - 1700 pF

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 55 V 60.0 V 60.0 V

连续漏极电流(Ids) 56.0 A 60.0 A 17.5 A

上升时间 130 ns 108 ns 100 ns

输入电容(Ciss) 2430pF @25V(Vds) 1810pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 110 W 80 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 4 V 1 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±16.0 V

下降时间 - 20 ns 20 ns

耗散功率(Max) - 110W (Tc) 80W (Tc)

长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm

高度 2.39 mm 2.4 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

宽度 - 6.2 mm 6.2 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99