RQ6P015SPTR、RSQ015P10TR、RSQ015P10HZGTR对比区别
型号 RQ6P015SPTR RSQ015P10TR RSQ015P10HZGTR
描述 ROHM RQ6P015SPTR 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -100 V, 0.35 ohm, -10 V, -2.5 V晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -100 V, 0.35 ohm, -10 V, -2.5 V
数据手册 ---
制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 6 6 -
封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 -
通道数 1 - -
针脚数 6 6 -
漏源极电阻 0.35 Ω 0.35 Ω -
极性 P-Channel P-Channel -
耗散功率 1.25 W 1.25 W -
阈值电压 2.5 V - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -
漏源击穿电压 100 V - -
上升时间 15 ns 15 ns -
输入电容(Ciss) 950pF @25V(Vds) 950pF @25V(Vds) -
下降时间 10 ns 10 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 600mW (Ta) 600mW (Ta) -
连续漏极电流(Ids) - 1.5A -
额定功率(Max) - 1.25 W -
封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 -
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Not For New Designs -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -