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RQ6P015SPTR、RSQ015P10TR、RSQ015P10HZGTR对比区别

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型号 RQ6P015SPTR RSQ015P10TR RSQ015P10HZGTR

描述 ROHM   RQ6P015SPTR  晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -100 V, 0.35 ohm, -10 V, -2.5 V晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -100 V, 0.35 ohm, -10 V, -2.5 V

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 6 6 -

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 -

通道数 1 - -

针脚数 6 6 -

漏源极电阻 0.35 Ω 0.35 Ω -

极性 P-Channel P-Channel -

耗散功率 1.25 W 1.25 W -

阈值电压 2.5 V - -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

漏源击穿电压 100 V - -

上升时间 15 ns 15 ns -

输入电容(Ciss) 950pF @25V(Vds) 950pF @25V(Vds) -

下降时间 10 ns 10 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 600mW (Ta) 600mW (Ta) -

连续漏极电流(Ids) - 1.5A -

额定功率(Max) - 1.25 W -

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Not For New Designs -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -