RSQ015P10TR
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RSQ015P10TR中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.35 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.25 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 1.5A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 950pF @25VVds
额定功率Max 1.25 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 600mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
封装 TSOT-23-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RSQ015P10TR引脚图与封装图 
RSQ015P10TR引脚图
RSQ015P10TR封装图
RSQ015P10TR封装焊盘图
在线购买RSQ015P10TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RSQ015P10TR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -100 V, 0.35 ohm, -10 V, -2.5 V | 搜索库存 |
替代型号RSQ015P10TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RSQ015P10TR 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TSMT P-Channel 100V 1.5A | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -100 V, 0.35 ohm, -10 V, -2.5 V | 当前型号 |
| 型号： RQ6P015SPTR 品牌： 罗姆半导体 封装： TSMT P-Channel | 类似代替 | ROHM RQ6P015SPTR 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -100 V, 0.35 ohm, -10 V, -2.5 V | RSQ015P10TR和RQ6P015SPTR的区别 |