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JANTX2N6796、JANTXV2N6796对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N6796 JANTXV2N6796

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 8A 3Pin TO-39每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百五十七分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-39 TO-205

通道数 - -

漏源极电阻 - -

耗散功率 25 W 0.8 W

阈值电压 - -

漏源极电压(Vds) - 100 V

漏源击穿电压 - -

上升时间 - -

额定功率(Max) - -

下降时间 - -

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 800mW (Ta), 25W (Tc)

产品系列 IRFF130 -

封装 TO-39 TO-205

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead

香港进出口证 - NLR