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PBRP123YT、PBRP123YT,215、PBRP123ET对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBRP123YT PBRP123YT,215 PBRP123ET

描述 PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP SemiconductorsTO-236AB PNP 40V 600mASmall Signal Bipolar Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

针脚数 3 - -

极性 PNP PNP -

耗散功率 250 mW 0.57 W -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V -

集电极最大允许电流 600mA 600mA -

最小电流放大倍数(hFE) 230 230 @300mA, 5V -

直流电流增益(hFE) 320 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 570 mW 570 mW -

额定功率(Max) - 250 mW -

长度 3 mm - -

宽度 1.4 mm - -

高度 1.1 mm 1 mm -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -