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PBRP123YT,215

PBRP123YT,215

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
PBRP123YT,215中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 0.57 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 600mA

最小电流放大倍数hFE 230 @300mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 570 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PBRP123YT,215引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
PBRP123YT,215 NXP 恩智浦 TO-236AB PNP 40V 600mA 搜索库存
替代型号PBRP123YT,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PBRP123YT,215

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-236AB PNP 570mW

当前型号

TO-236AB PNP 40V 600mA

当前型号

型号: PBRP123ET,215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236AB PNP 570mW

类似代替

TO-236AB PNP 40V 600mA

PBRP123YT,215和PBRP123ET,215的区别

型号: PBRP123YT

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23 PNP

功能相似

PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

PBRP123YT,215和PBRP123YT的区别