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1PS76SB10,115、BAT54WS-V-GS08、BAT54HT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1PS76SB10,115 BAT54WS-V-GS08 BAT54HT1G

描述 NXP  1PS76SB10,115  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °CVISHAY  BAT54WS-V-GS08  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °CON SEMICONDUCTOR  BAT54HT1G  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)

分类 肖特基二极管肖特基二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SOD-323 SOD-323 SOD-323-2

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 200 mA

电容 - - 10.0 pF

无卤素状态 - - Halogen Free

输出电流 - - ≤200 mA

针脚数 2 2 2

正向电压 800mV @100mA - 0.8 V

极性 - - Standard

耗散功率 - 150 mW 200 mW

热阻 450℃/W (RθJA) - 635℃/W (RθJA)

反向恢复时间 - - 5 ns

最大反向击穿电压 - - 30 V

正向电流 200 mA 200 mA 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 600 mA 600 mA 600 mA

正向电压(Max) 800 mV 800 mV 800 mV

正向电流(Max) 200 mA - 200 mA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃

工作结温(Max) - - 150 ℃

耗散功率(Max) - - 200 mW

工作结温 125℃ (Max) - -

长度 1.8 mm 1.95 mm 1.8 mm

宽度 1.35 mm 1.5 mm 1.35 mm

高度 1.05 mm 1.05 mm 1 mm

封装 SOD-323 SOD-323 SOD-323-2

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active End of Life Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99