锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

INA180A4IDBVR、INA180A4IDBVT、TLV8542DR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 INA180A4IDBVR INA180A4IDBVT TLV8542DR

描述 26V、350kHz 电流感应放大器 5-SOT-23 -40 to 125INA180A4IDBVT 编带运算放大器 - 运放 500 nA RRIO Nanopower Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 125

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 5 8

封装 SOT-23-5 SOT-23-5 SOIC-8

供电电流 260 µA 260 µA 500 nA

电路数 1 1 2

通道数 1 1 -

针脚数 - 5 -

共模抑制比 84 dB 84 dB -

带宽 - 105 kHz -

输入补偿电压 100 µV 100 µV 3.1 mV

输入偏置电流 80 µA 80 µA 0.0000001μA @3.3V

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

3dB带宽 350 kHz 350 kHz -

共模抑制比(Min) 80dB ~ 85dB 80dB ~ 85dB 60 dB

电源电压(Max) 5V ~ 7V 5V ~ 7V -

电源电压(Min) - 2.7 V -

增益频宽积 - - 0.008 MHz

封装 SOT-23-5 SOT-23-5 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅