APT100GN120B2G、APT75GN120B2G、APT100GN120B2对比区别

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型号 APT100GN120B2G APT75GN120B2G APT100GN120B2

描述 迅雷IGBT Thunderbolt IGBT功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules迅雷IGBT Thunderbolt IGBT

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 -

耗散功率 960000 mW - -

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V -

额定功率(Max) 960 W 833 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 960000 mW 833000 mW -

额定电压(DC) - 1.20 kV -

额定电流 - 200 A -

封装 TO-247-3 TO-247-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -