APT100GN120B2G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT100GN120B2G中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 960000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 960 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 960000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT100GN120B2G引脚图与封装图
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在线购买APT100GN120B2G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT100GN120B2G | Microsemi 美高森美 | 迅雷IGBT Thunderbolt IGBT | 搜索库存 |
替代型号APT100GN120B2G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT100GN120B2G 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247-3 960000mW | 当前型号 | 迅雷IGBT Thunderbolt IGBT | 当前型号 |
| 型号： APT75GN120B2G 品牌： 美高森美 封装： TO-264 1.2kV 200A | 类似代替 | 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules | APT100GN120B2G和APT75GN120B2G的区别 |
| 型号： APT100GN120B2 品牌： 美高森美 封装： | 功能相似 | 迅雷IGBT Thunderbolt IGBT | APT100GN120B2G和APT100GN120B2的区别 |