SI4435DDY-T1-E3、SI9435BDY-T1-E3、SI4953ADY-T1-E3对比区别

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型号 SI4435DDY-T1-E3 SI9435BDY-T1-E3 SI4953ADY-T1-E3

描述 VISHAY  SI4435DDY-T1-E3.  场效应管, MOSFET, P沟道, 30V, 11.4AVISHAY  SI9435BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, P沟道, 8-SOICVISHAY  SI4953ADY-T1-E3  场效应管, MOSFET, 双P沟道, -30V, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SO

额定功率 2.5 W - -

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.0195 Ω 0.07 Ω 90.0 mΩ

极性 P-Channel P-Channel Dual P-Channel

耗散功率 5 W 2.5 W 2.00 W

漏源极电压(Vds) -30.0 V -30.0 V -30.0 V

连续漏极电流(Ids) -11.4 A -5.70 A 4.90 A, -4.90 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

上升时间 - 14 ns 10 ns

下降时间 - 30 ns 20 ns

工作温度(Min) - -55 ℃ -

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

封装 SOIC SOIC-8 SO

长度 - 5 mm -

高度 - 1.55 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 - EAR99 -