IRFZ48NSTRLPBF、STB60NF06T4、STB55NF06T4对比区别

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型号 IRFZ48NSTRLPBF STB60NF06T4 STB55NF06T4

描述 Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RN沟道60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK / I2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II Power MOSFETN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 64.0 A 60.0 A 50.0 A

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.8 W 110 W 110 W

产品系列 IRFZ48NS - -

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 55.0 V 60.0 V 60.0 V

连续漏极电流(Ids) 64.0 A 60.0 A 50.0 A

上升时间 78.0 ns 108 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 1970pF @25V(Vds) 1810pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.8 W 110 W 110 W

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - 15.0 mΩ 0.015 Ω

阈值电压 - - 3 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

下降时间 - 20 ns 15 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 110W (Tc) 110W (Tc)

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 9.35 mm

高度 - - 4.6 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 EAR99