额定电压DC 55.0 V
额定电流 64.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 3.8 W
产品系列 IRFZ48NS
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55.0 V
连续漏极电流Ids 64.0 A
上升时间 78.0 ns
输入电容Ciss 1970pF @25VVds
额定功率Max 3.8 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFZ48NSTRLPBF | International Rectifier 国际整流器 | Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFZ48NSTRLPBF 品牌: International Rectifier 国际整流器 封装: TO-263-3 N-Channel 55V 64A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 | |
型号: STB55NF06T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-263 N-Channel 60V 50A 18mohms | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | IRFZ48NSTRLPBF和STB55NF06T4的区别 | |
型号: STB60NF06LT4 品牌: 意法半导体 封装: D2PAK N-Channel 60V 60A 14mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STB60NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 V | IRFZ48NSTRLPBF和STB60NF06LT4的区别 | |
型号: STB60NF06T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252-3 N-Channel 60V 60A 15mΩ | 功能相似 | N沟道60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK / I2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET | IRFZ48NSTRLPBF和STB60NF06T4的区别 |