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IRFZ48NSTRLPBF

IRFZ48NSTRLPBF

数据手册.pdf
International Rectifier 国际整流器 分立器件
IRFZ48NSTRLPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 64.0 A

极性 N-Channel

耗散功率 3.8 W

产品系列 IRFZ48NS

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55.0 V

连续漏极电流Ids 64.0 A

上升时间 78.0 ns

输入电容Ciss 1970pF @25VVds

额定功率Max 3.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRFZ48NSTRLPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRFZ48NSTRLPBF International Rectifier 国际整流器 Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3Pin2+Tab D2PAK T/R 搜索库存
替代型号IRFZ48NSTRLPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFZ48NSTRLPBF

品牌: International Rectifier 国际整流器

封装: TO-263-3 N-Channel 55V 64A

当前型号

Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

当前型号

型号: STB55NF06T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-263 N-Channel 60V 50A 18mohms

功能相似

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

IRFZ48NSTRLPBF和STB55NF06T4的区别

型号: STB60NF06LT4

品牌: 意法半导体

封装: D2PAK N-Channel 60V 60A 14mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB60NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 V

IRFZ48NSTRLPBF和STB60NF06LT4的区别

型号: STB60NF06T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252-3 N-Channel 60V 60A 15mΩ

功能相似

N沟道60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK / I2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET

IRFZ48NSTRLPBF和STB60NF06T4的区别