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IRG4BC30FD1、IRG4BC30FD1PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRG4BC30FD1 IRG4BC30FD1PBF

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3Pin (3+Tab) TO-220ABINFINEON  IRG4BC30FD1PBF  单晶体管, IGBT, 31 A, 1.8 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 100 W 100 W

针脚数 - 3

极性 - N-Channel

耗散功率 - 100 W

上升时间 - 24.0 ns

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

反向恢复时间 46 ns 46 ns

额定功率(Max) 100 W 100 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 100 W

长度 - 10.54 mm

宽度 - 4.69 mm

高度 - 15.24 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17