IRG4BC30FD1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
额定功率 100 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 46 ns
额定功率Max 100 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRG4BC30FD1 | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3Pin 3+Tab TO-220AB | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRG4BC30FD1 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-220-3 | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3Pin 3+Tab TO-220AB | 当前型号 | |
型号: IRG4BC30FD1PBF 品牌: 英飞凌 封装: TO-220AB 100000mW | 完全替代 | INFINEON IRG4BC30FD1PBF 单晶体管, IGBT, 31 A, 1.8 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚 | IRG4BC30FD1和IRG4BC30FD1PBF的区别 |