VBT3080C-E3/4W、VBT3080C-E3/8W、SKFM3080C-D2-H对比区别

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型号 VBT3080C-E3/4W VBT3080C-E3/8W SKFM3080C-D2-H

描述 双Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier双Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual Trench MOS Barrier Schottky RectifierRectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 80V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, D2PAK-2

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Microsemi (美高森美)

分类 二极管阵列二极管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TO-263-3 TO-263-3 -

正向电压 820mV @15A 820mV @15A -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

封装 TO-263-3 TO-263-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 -