VBT3080C-E3/8W中文资料参数规格
技术参数
正向电压 820mV @15A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
VBT3080C-E3/8W引脚图与封装图
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在线购买VBT3080C-E3/8W
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VBT3080C-E3/8W | Vishay Semiconductor 威世 | 双Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | 搜索库存 |
替代型号VBT3080C-E3/8W
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VBT3080C-E3/8W 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-263AB | 当前型号 | 双Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | 当前型号 |
| 型号： VBT3080C-E3/4W 品牌： 威世 封装： D2PAK | 完全替代 | 双Trench MOS势垒肖特基整流器 Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier | VBT3080C-E3/8W和VBT3080C-E3/4W的区别 |