IRF7809AV、IRF7809AVTRPBF、809A对比区别

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型号 IRF7809AV IRF7809AVTRPBF 809A

描述 SOIC N-CH 30V 13.3AIRF7809AVTRPBF 编带Power Field-Effect Transistor, 13.3A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 8 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 -

额定功率 - 2.5 W -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 7.00 MΩ 0.007 Ω -

极性 N-Channel N-CH -

耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W -

阈值电压 - 1 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

连续漏极电流(Ids) 13.3 A 13.3A -

上升时间 36 ns 36 ns -

输入电容(Ciss) 3780pF @16V(Vds) 3780pF @16V(Vds) -

额定功率(Max) - 2.5 W -

下降时间 10 ns 10 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) -

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 17.0 A - -

产品系列 IRF7809AV - -

漏源击穿电压 30.0V (min) - -

高度 - 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -